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第25回高温エレクトロニクス研究会 ー熱対策・熱制御ー
第25回高温エレクトロニクス研究会を、下記のとおり開催いたします。
詳細
開催日 | 2015年3月17日(火)13:30〜16:50 |
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場所 | 〒252-5210 相模原市中央区由野台3-1-1 宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究所 相模原キャンパスA棟2階大会議室 |
交通 |
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参加費 | 無料(事前申し込み不要) |
問い合わせ先 | JAXA宇宙科学研究所 宇宙機応用工学研究系 教授 廣瀬和之 / 助教 小林大輔 メールアドレス:hte@isas.jaxa.jp 電話:050-3362-3126 |
プログラム(敬称略、講演時間は質疑応答を含めて30分)
<本年度のテーマ>
エレクトロニクス機器において熱問題は益々深刻となっています。そのため微細デバイスでの自己発熱問題や、高温動作を可能とするワイドギャップ半導体の研究開発などが活発に進んでいます。また、デバイスの宇宙応用や、 宇宙機の熱輸送の制御など、 応用面での熱に関わる様々な研究も進められています。
本年度はそのような「熱対策・熱制御」に焦点を当てました。この分野の第一線の方々に幅広くご講演をいただきます。皆様奮ってご参加下さい。
13:30〜13:35 | はじめに | 廣瀬和之(宇宙研) |
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13:35〜14:05 | 電子・フォノン統合モンテカルロシミュレータによる微細トランジスタの自己発熱解析 | 鎌倉良成(大阪大学大学院 電気電子情報工学専攻) |
14:05〜14:35 | 高温エレクトロニクスにおけるSiC の課題解決に向けてーMOSFET の低チャネル移動度と閾値シフトの解明の取り組みー | 塩見弘(産総研 先進パワーエレクトロニクス研究センター) |
14:35〜15:05 | 宇宙用パワーMOS Si からSiC | 水田栄一(JAXA 研究開発本部 部品グループ) |
15:05〜15:20 | 休憩 | |
15:20〜15:50 | SiC パワーMOS の放射線耐性・重イオン照射試験・劣化メカニズム | 牧野高紘(原子力機構 量子ビーム応用研究センター) |
15:50〜16:20 | 次世代マイクロ・ナノ宇宙機のシステム熱設計 | 長野方星(名古屋大学大学院 工学研究科航空宇宙工学専攻) |
16:20〜16:50 | 衛星の熱制御システムとヒートパイプ | 岡崎峻(宇宙研 熱グループ) |
高温エレクトロニクス研究会とは
高温エレクトロニクス関連分野は、宇宙をはじめとして、パワーデバイス、カーエレクトロニクス、資源探査、原子力等の広い領域に渡ります。
本研究会は、このような高温エレクトロニクスのシステム・デバイス・材料に関する技術の現状を把握するとともに、その新しい応用分野を開拓することを目的として、広い層の研究者・技術者相互の交流を促進するよう、毎年開催されています。