ダイヤモンドはシリコンの約５倍のバンドギャップをもつ半導体で、
高い絶縁破壊電界や最高の熱伝導率、また高いキャリア速度、移動度を示すことから、
ダイヤモンドの高周波パワーデバイスを目指した研究を行っています。
講演では、ダイヤモンド半導体の電子物性、結晶成長、不純物ドーピング技術の原理や現状を説明し、
我々が得た素子の高周波特性を示し、将来の可能性について議論していただきます。